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首页 全部分类 IXBH42N170 vs STGWA40M120DF3

IXBH42N170备选型号: STGWA40M120DF3

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 功率 - 最大
  • IGBT类型
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXBH42N170
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.500007g
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    BIMOSFET™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    不适用
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    1.7kV
    360W
    未说明
    75A
    未说明
    IXB*42N170
    3
    不合格
    Single
    360W
    COLLECTOR
    Standard
    45 ns
    电源控制
    35ns
    N-CHANNEL
    1.7kV
    80A
    1.32μs
    1700V
    224 ns
    2.8V @ 15V, 42A
    1070 ns
    188nC
    300A
    20V
    5.5V
    21.46mm
    16.26mm
    5.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGWA40M120DF3
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGWA40M120DF3 IGBT Single Transistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    30 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    -
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    468W
    未说明
    -
    未说明
    STGWA40
    -
    -
    Single
    -
    -
    Standard
    -
    -
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    80A
    355 ns
    1200V
    -
    2.3V @ 15V, 40A
    -
    125nC
    160A
    20V
    7V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1.85V
    EAR99
    468W
    沟渠现场停车
    35ns/140ns
    1.03mJ (on), 480μJ (off)
    无SVHC
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