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首页 全部分类 IXBR42N170 vs IXBH24N170

IXBR42N170备选型号: IXBH24N170

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 漏源电阻
  • IXYS
    IXBR42N170
    IXYS
    IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2008
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    锡银铜
    UL 认证
    200W
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    IXB*42N170
    247
    R-PSIP-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    ISOLATED
    Standard
    200W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.9V
    57A
    1.32 μs
    1700V
    224 ns
    2.9V @ 15V, 42A
    1070 ns
    188nC
    300A
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXBH24N170
    IXYS
    IGBT 1700V 60A 250W TO247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    低导通损耗
    250W
    -
    未说明
    -
    未说明
    -
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    -
    COLLECTOR
    Standard
    250W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.5V
    60A
    1.06 μs
    1700V
    190 ns
    2.5V @ 15V, 24A
    1285 ns
    140nC
    230A
    20V
    5V
    ROHS3 Compliant
    Single
    38W
    28ns
    26 ns
    3.2A
    TO-247AD
    30V
    500V
    1.4Ohm
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