IXYS IXBR42N170

工厂交货时间

32 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.7kV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

BIMOSFET™

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

附加功能

UL 认证

最大功率耗散

200W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXB*42N170

引脚数量

247

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

功率 - 最大

200W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.9V

最大集电极电流

57A

反向恢复时间

1.32 μs

电压 - 集射极击穿（最大值）

1700V

接通时间

224 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.9V @ 15V, 42A

关断时间-标准值（toff)

1070 ns

闸门收费

188nC

集极脉冲电流（Icm）

300A

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5.5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant