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首页 全部分类 IXDR35N60BD1 vs FGP20N6S2

IXDR35N60BD1备选型号: FGP20N6S2

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  • 最小工作温度
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  • 额定电流
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • Td（开/关）@25°C
  • IXYS
    IXDR35N60BD1
    IXYS
    IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247
    32 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    HIGH SPEED
    125W
    未说明
    未说明
    IXD*35N60
    3
    不合格
    NPN
    Single
    125W
    ISOLATED
    Standard
    30 ns
    电源控制
    70ns
    600V
    38A
    40ns
    75 ns
    2.7V @ 15V, 35A
    390 ns
    NPT
    140nC
    48A
    1.6mJ (on), 800μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGP20N6S2
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 28A 125W TO220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    125W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    125W
    -
    Standard
    -
    -
    4.5ns
    2.7V
    28A
    -
    -
    2.7V @ 15V, 7A
    -
    -
    30nC
    40A
    25μJ (on), 58μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-220-3
    150°C
    -55°C
    600V
    28A
    125W
    600V
    7.7ns/87ns
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