IXYS IXDR35N60BD1

工厂交货时间

32 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 35A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

320 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

HIGH SPEED

最大功率耗散

125W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXD*35N60

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

125W

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

接通延迟时间

30 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

70ns

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

38A

反向恢复时间

40ns

接通时间

75 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 35A

关断时间-标准值（toff)

390 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

140nC

集极脉冲电流（Icm）

48A

开关能量

1.6mJ (on), 800μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅