我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IXFA16N60P3备选型号: FCB20N60F-F085
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- 无铅代码
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA30 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON16A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, Polar3™2014e3活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE鸥翼not_compliant4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING440m Ω @ 8A, 10V5V @ 1.5mA1830pF @ 25V36nC @ 10V600V±30V16A0.44Ohm40A600V800 mJROHS3 Compliant----------------
MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON20A Tc-55°C~150°C TJDigi-Reel®Automotive, AEC-Q101, SuperFET™-e3Obsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)--鸥翼--R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING195m Ω @ 20A, 10V5V @ 250μA2035pF @ 25V102nC @ 10V-±30V20A----ROHS3 CompliantLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)1.31247gyesFCB20N60Single405W43 ns66ns42 ns30V600V4.83mm10.67mm9.65mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | TK20G60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A | 对比 |
| FCB20N60F-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB | 对比 |
 | STB24N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK | 对比 |
哦! 它是空的。