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IXFA16N60P3备选型号: TK20G60W,RVQ
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA30 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON16A Tc-55°C~150°C TJTubeHiPerFET™, Polar3™2014e3活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE鸥翼not_compliant4R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING440m Ω @ 8A, 10V5V @ 1.5mA1830pF @ 25V36nC @ 10V600V±30V16A0.44Ohm40A600V800 mJROHS3 Compliant-----------
MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-20A Ta150°C TJTape & Reel (TR)DTMOSIV2013-活跃1 (Unlimited)-----------N-Channel-155m Ω @ 10A, 10V3.7V @ 1mA1680pF @ 300V48nC @ 10V-±30V20A----符合RoHS标准33.949996g1Single50 ns25ns6 ns30V600V超级交界处无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TK20G60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A | 对比 |
 | FCB20N60F-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB | 对比 |
 | STB24N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK | 对比 |
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