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首页 全部分类 IXFH21N50Q vs FCH190N65F-F155

IXFH21N50Q备选型号: FCH190N65F-F155

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • DS 击穿电压-最小值
  • IXYS
    IXFH21N50Q
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 21A TO-247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    21A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2004
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    250MOhm
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    280W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 10.5A, 10V
    4.5V @ 4mA
    3000pF @ 25V
    84nC @ 10V
    28ns
    ±30V
    12 ns
    21A
    30V
    500V
    84A
    1500 mJ
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH190N65F-F155
    ON Semiconductor
    MOSFET SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlead
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    20.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®, SuperFET® II
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    190mOhm
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 2mA
    3225pF @ 100V
    78nC @ 10V
    11ns
    ±20V
    4.2 ns
    20.6A
    30V
    -
    -
    400 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    6.39g
    e3
    Tin (Sn)
    not_compliant
    R-PSFM-T3
    1
    25 ns
    650V
    TO-247AB
    650V
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