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首页 全部分类 IXFN210N30P3 vs HGT1N30N60A4D

IXFN210N30P3备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 配置
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • 无铅
  • IXYS
    IXFN210N30P3
    IXYS
    MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
    30 Weeks
    Chassis Mount, Panel
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    192A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, Polar3™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    增强型MOSFET
    1.5kW
    46 ns
    N-Channel
    14.5m Ω @ 105A, 10V
    5V @ 8mA
    16200pF @ 25V
    268nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    13 ns
    192A
    20V
    300V
    9.6mm
    38.23mm
    25.07mm
    ROHS3 Compliant
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    600V
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    225W
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    -
    符合RoHS标准
    2.7V
    600V
    255W
    96A
    Single
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
    无铅
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比