IXYS IXFN210N30P3

工厂交货时间

30 Weeks

底架

Chassis Mount, Panel

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

192A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

1500W Tc

Turn Off Delay Time

94 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™, Polar3™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5kW

接通延迟时间

46 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

14.5m Ω @ 105A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

16200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

268nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

192A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

300V

高度

9.6mm

长度

38.23mm

宽度

25.07mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant