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首页 全部分类 IXFN50N50 vs ESM3030DV

IXFN50N50备选型号: ESM3030DV

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 极性
  • 元素配置
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • VCEsat-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXFN50N50
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™
    2000
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    90MOhm
    Nickel (Ni)
    雪崩 额定
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    600W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    90m Ω @ 500mA, 10V
    4.5V @ 8mA
    9400pF @ 25V
    330nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    45 ns
    50A
    20V
    500V
    200A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    ESM3030DV
    STMicroelectronics
    TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    SILICON
    300V
    150°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    -
    Nickel (Ni)
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    -
    -
    225W
    ISOLATED
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    1.8V
    EAR99
    300V
    225W
    100A
    ESM3030
    NPN
    Single
    NPN - Darlington
    300V
    100A
    300 @ 85A 5V
    1.5V @ 2.4A, 85A
    7V
    2.2 V
    600ns
    9.1mm
    38.2mm
    25.4mm
    无SVHC
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