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首页 全部分类 IXFP7N100P vs FQPF9N90CT

IXFP7N100P备选型号: FQPF9N90CT

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXFP7N100P
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 7A TO-220
    26 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.9 Ω @ 3.5A, 10V
    6V @ 1mA
    2590pF @ 25V
    47nC @ 10V
    1000V
    ±30V
    7A
    TO-220AB
    30V
    7A
    1kV
    18A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF9N90CT
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    68W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 4A, 10V
    5V @ 250μA
    2730pF @ 25V
    58nC @ 10V
    -
    ±30V
    8A
    TO-220AB
    30V
    8A
    900V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2.27g
    e3
    EAR99
    1.4Ohm
    Tin (Sn)
    not_compliant
    50 ns
    120ns
    75 ns
    3V
    900 mJ
    3 V
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无SVHC
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