您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXGR35N120B vs IRG4PH50SPBF

IXGR35N120B备选型号: IRG4PH50SPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 质量
  • 终端
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 接通延迟时间
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 最大结点温度（Tj）
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXGR35N120B
    IXYS
    IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    ISOPLUS247™
    3
    SILICON
    1.2kV
    3.3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFAST™
    2001
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    200W
    未说明
    unknown
    未说明
    IXG*35N120
    3
    不合格
    NPN
    Single
    200W
    ISOLATED
    Standard
    电源控制
    160ns
    1.2kV
    70A
    1200V
    86 ns
    3.3V @ 15V, 35A
    660 ns
    PT
    170nC
    140A
    50ns/180ns
    3.8mJ (off)
    20V
    5V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PH50SPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1.2kV
    1.75V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    -
    2004
    -
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    200W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    200W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    29ns
    1.2kV
    57A
    1200V
    62 ns
    1.7V @ 15V, 33A
    2170 ns
    -
    167nC
    114A
    32ns/845ns
    1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    38.000013g
    通孔
    1.2kV
    57A
    32 ns
    N-CHANNEL
    57A
    TO-247AC
    30V
    3.6nF
    150°C
    57A
    24.99mm
    15.875mm
    5.3mm
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FGL35N120FTDTU FGL35N120FTDTU ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-264-3, TO-264AA IGBT 1200V 70A 368W TO264 对比
IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 1200V 70A 320W TO247AD 对比
IRG4PF50WPBF IRG4PF50WPBF Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-247-3 IGBT 900V 51A 200W TO247AC 对比