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IXGT72N60A3备选型号: APT25GN120SG
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- JESD-609代码
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- 零件状态
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- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
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- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 触点镀层
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
IGBT 600V 75A 540W TO26826 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AASILICON600V-55°C~150°C TJTubeGenX3™, XPT™2008e3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)低导通损耗540WSINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明IXG*72N604R-PSSO-G2不合格SINGLECOLLECTORStandard540W电源控制N-CHANNEL1.35V75A61 ns1.35V @ 15V, 60A885 nsPT230nC400A31ns/320ns1.38mJ (on), 3.5mJ (off)20V5VROHS3 Compliant-------------
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2 Tab) D3PAK25 Weeks表面贴装表面贴装TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AASILICON1.2kV-55°C~150°C TJTube-1999-yes活跃1 (Unlimited)2-HIGH RELIABILITY272W-鸥翼245-30-3R-PSSO-G2--COLLECTORStandard-电源控制N-CHANNEL1.2kV67A39 ns2.1V @ 15V, 25A560 ns沟渠现场停车155nC75A22ns/280ns--6.5V符合RoHS标准Tin31.7VEAR99Single22 ns1200V67A5.08mm16.05mm13.99mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| APT25GR120SD15 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | 对比 |
| IXBT6N170 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2 Tab) TO-268 | 对比 |
| IXYT30N65C3H1HV | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | IGBT 650V 60A 270W TO268HV | 对比 |
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