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首页 全部分类 IXKH35N60C5 vs IPA60R099P6XKSA1

IXKH35N60C5备选型号: IPA60R099P6XKSA1

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  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • JESD-609代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • IXYS
    IXKH35N60C5
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    100MOhm
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    357W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 18A, 10V
    3.9V @ 1.2mA
    2800pF @ 100V
    70nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5 ns
    35A
    TO-247AD
    20V
    600V
    800 mJ
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA60R099P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    37.9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    99m Ω @ 14.5A, 10V
    4.5V @ 1.21mA
    3330pF @ 100V
    70nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    5 ns
    37.9A
    -
    30V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    e3
    EAR99
    Tin (Sn)
    20 ns
    无卤素
    600V
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