IXYS IXKH35N60C5

工厂交货时间

20 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

100MOhm

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

357W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 1.2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

70nC @ 10V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

35A

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

600V

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

场效应管特性

超级交界处

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅