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首页 全部分类 IXKH35N60C5 vs STW48N60M2

IXKH35N60C5备选型号: STW48N60M2

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  • 资历状况
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • IXYS
    IXKH35N60C5
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2009
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    100MOhm
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    357W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 18A, 10V
    3.9V @ 1.2mA
    2800pF @ 100V
    70nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    5 ns
    35A
    TO-247AD
    20V
    600V
    800 mJ
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW48N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 42A TO-247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    70m Ω @ 21A, 10V
    4V @ 250μA
    3060pF @ 100V
    70nC @ 10V
    -
    ±25V
    -
    42A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    EAR99
    STW48N
    Single
    600V
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