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IXKH47N60C备选型号: IPW60R060C7XKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 600V 47A TO-24761 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON47A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008e1yes活跃1 (Unlimited)370MOhmTin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定3R-PSFM-T3Single增强型MOSFET290WDRAINN-ChannelSWITCHING70m Ω @ 30A, 10V4V @ 2mA650nC @ 10V27ns±20V10 ns47ATO-247AD20V600V超级交界处无ROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 600V 35A TO24718 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON35A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C72008e3yes活跃1 (Unlimited)3-Tin (Sn)--R-PSFM-T3-增强型MOSFET-DRAINN-ChannelSWITCHING60m Ω @ 15.9A, 10V4V @ 800μA68nC @ 10V-±20V-35A-----ROHS3 Compliant无铅SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE无卤素2850pF @ 400V600V0.06Ohm159 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW56N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STW56N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| STW55NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | 对比 |
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 35A TO247 | 对比 |
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