IXKH47N60C
IXKH47N60C

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IXYS IXKH47N60C

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型号

IXKH47N60C

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXKH47N60C

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

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IXKH47N60C
IXKH47N60C IXYS MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

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IXKH47N60C详情

IXYS IXKH47N60C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    61 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    47A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    111 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    CoolMOS™

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 电阻

    70MOhm

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    雪崩 额定

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    290W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    70m Ω @ 30A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 2mA

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    650nC @ 10V

  • 上升时间

    27ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    10 ns

  • 连续放电电流(ID)

    47A

  • JEDEC-95代码

    TO-247AD

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    600V

  • 场效应管特性

    超级交界处

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: IXYS IXKH47N60C.

右边的3个型号有着和IXYS & IXKH47N60C相似的参数规格。

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IXKH47N60C拓展信息

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