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IXTA10N60P备选型号: STB13N60M2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON10A Tc-55°C~150°C TJTubePolar™2006e3yes活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn)雪崩 额定600V鸥翼未说明not_compliant10A未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET200WDRAINN-ChannelSWITCHING740m Ω @ 5A, 10V5.5V @ 250μA1610pF @ 25V32nC @ 10V27ns±30V21 ns10A30V0.74Ohm600V30A500 mJROHS3 Compliant无铅------------
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON11A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus---活跃1 (Unlimited)2---鸥翼-----R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET110WDRAINN-ChannelSWITCHING380m Ω @ 5.5A, 10V4V @ 250μA580pF @ 100V17nC @ 10V10ns±25V9.5 ns11A25V-650V44A125 mJROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 Weeks3EAR99380mOhmSTB13N11 ns600V4.6mm10.4mm9.35mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB12N60CTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK | 对比 |
 | IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
| STB18N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
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