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首页 全部分类 IXTA10N60P vs STB18N60DM2

IXTA10N60P备选型号: STB18N60DM2

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  • 引脚数
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  • ECCN 代码
  • 基本部件号
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  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 达到SVHC
  • IXYS
    IXTA10N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Polar™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    600V
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    10A
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    740m Ω @ 5A, 10V
    5.5V @ 250μA
    1610pF @ 25V
    32nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    21 ns
    10A
    30V
    0.74Ohm
    600V
    30A
    500 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
  • STMicroelectronics
    STB18N60DM2
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    12A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ DM2
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    未说明
    -
    -
    未说明
    -
    -
    -
    -
    -
    110W
    -
    N-Channel
    -
    295m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    800pF @ 100V
    20nC @ 10V
    -
    ±25V
    -
    12A
    25V
    -
    600V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    3
    D2PAK-0079457
    EAR99
    STB18N
    1
    13.5 ns
    4V
    150°C
    4.83mm
    无SVHC
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