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首页 全部分类 IXTA130N10T7 vs STH110N10F7-6

IXTA130N10T7备选型号: STH110N10F7-6

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 基本部件号
  • 接通延迟时间
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTA130N10T7
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
    SILICON
    130A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMV™
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    PURE TIN
    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSSO-G6
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    360W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.1m Ω @ 25A, 10V
    4.5V @ 250μA
    5080pF @ 25V
    104nC @ 10V
    47ns
    ±20V
    28 ns
    130A
    30V
    0.0091Ohm
    100V
    350A
    400 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STH110N10F7-6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
    -
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    6.5m Ω @ 55A, 10V
    4.5V @ 250μA
    5117pF @ 50V
    72nC @ 10V
    36ns
    ±20V
    21 ns
    110A
    20V
    -
    100V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    7
    STH110
    25 ns
    无
    无铅
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