IXTA20N65X备选型号: IPB65R190CFDAATMA1
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 最大rds
- 无铅
- MOSFET N-CH 650V 20A TO-26315 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB20A Tc-55°C~150°C TJTube2015活跃1 (Unlimited)N-Channel210m Ω @ 10A, 10V5.5V @ 250μA1390pF @ 25V35nC @ 10V650V±30V20AROHS3 Compliant----------
- MOSFET N-CH TO263-318 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB17.5A Tc-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)2012活跃1 (Unlimited)N-Channel190mOhm @ 7.3A, 10V4.5V @ 700μA1850pF @ 100V68nC @ 10V650V±20V17.5AROHS3 Compliant3D2PAK (TO-263AB)Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™150°C-40°C无卤素650V1.85nF190 mΩ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STB28N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
![]() | IPB65R190CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
![]() | STB20N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK | 对比 |





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