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IXTA20N65X备选型号: STB20N65M5
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- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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- RoHS状态
- 生命周期状态
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- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
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- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
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- 无铅
MOSFET N-CH 650V 20A TO-26315 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB20A Tc-55°C~150°C TJTube2015活跃1 (Unlimited)N-Channel210m Ω @ 10A, 10V5.5V @ 250μA1390pF @ 25V35nC @ 10V650V±30V20AROHS3 Compliant----------------------
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB18A Tc150°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)N-Channel190m Ω @ 9A, 10V5V @ 250μA1434pF @ 100V36nC @ 10V650V±25V18AROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)3SILICONMDmesh™ V2EAR99190MOhm鸥翼STB20NR-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING7.5ns7.5 ns25V710V72A270 mJ无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB28N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |
 | IPB65R190CFDAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
| STB20N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK | 对比 |
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