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IXTA50N25T备选型号: STB46N30M5
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 系列
- 基本部件号
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 250V 50A TO-26330 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON50A Tc-55°C~150°C TJTube2005e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99PURE TIN雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明unknown未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING50m Ω @ 25A, 10V5V @ 1mA4000pF @ 25V78nC @ 10V250V±30V50A0.05Ohm250V1500 mJROHS3 Compliant----
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON250W Tc150°C TJCut Tape (CT)---活跃1 (Unlimited)2EAR99--SINGLE鸥翼未说明-未说明-R-PSSO-G2-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING40m Ω @ 26.5A, 10V5V @ 250μA4240pF @ 100V95nC @ 10V300V±25V53A0.04Ohm300V550 mJROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ VSTB46N212A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
| STB46N30M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK | 对比 |
| IPB17N25S3100ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
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