我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IXTA54N30T备选型号: STB46N30M5
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- 操作温度
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 300V 54A TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB54A TcTubeDiscontinued1 (Unlimited)N-Channel300V54AROHS3 Compliant--------------------------
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB250W TcCut Tape (CT)活跃1 (Unlimited)N-Channel300V53AROHS3 Compliant17 WeeksACTIVE (Last Updated: 8 months ago)SILICONAutomotive, AEC-Q101, MDmesh™ V150°C TJ2EAR99SINGLE鸥翼未说明未说明STB46NR-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING40m Ω @ 26.5A, 10V5V @ 250μA4240pF @ 100V95nC @ 10V±25V0.04Ohm212A300V550 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB64N25S320ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3 | 对比 |
| STB46N30M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK | 对比 |
 | FQB14N30TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK | 对比 |
哦! 它是空的。