我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
IXTA76N25T备选型号: IPB17N25S3100ATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大双电源电压
- 输入电容
- 最大结点温度（Tj）
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 250V 76A TO-26330 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABSILICON76A Tc-55°C~150°C TJTube2007e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼未说明未说明4R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET460WDRAINN-ChannelSWITCHING39m Ω @ 500mA, 10V5V @ 1mA4500pF @ 25V92nC @ 10V25ns±30V29 ns76A30V0.039Ohm250V170A1500 mJROHS3 Compliant无铅-----------------
Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-17A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2012--活跃1 (Unlimited)----------Single-107W-N-Channel-100mOhm @ 17A, 10V4V @ 54μA1500pF @ 25V19nC @ 10V3.7ns±20V1.2 ns17A20V-250V--ROHS3 Compliant含铅3PG-TO263-3-2Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™175°C-55°C14.4 ns无卤素250V250V1.133nF175°C85mOhm100 mΩ4.7mm10mm9.25mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQB27N25TM-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M | 对比 |
| IPB117N20NFDATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK | 对比 |
| IPB17N25S3100ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 250V 17A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
哦! 它是空的。