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首页 全部分类 IXTE250N10 vs ESM3030DV

IXTE250N10备选型号: ESM3030DV

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  • 电压 - 额定直流
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • VCEsat-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTE250N10
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 100V 250A 3-Pin(3 Tab) ISOPLUS247
    底座安装
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    3
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    730W
    N-Channel
    100V
    250A
    100V
    5mOhm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    ESM3030DV
    STMicroelectronics
    TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    225W
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    300V
    1.8V
    150°C TJ
    4
    EAR99
    Nickel (Ni)
    300V
    225W
    UPPER
    UNSPECIFIED
    100A
    ESM3030
    4
    NPN
    ISOLATED
    SWITCHING
    NPN - Darlington
    300V
    100A
    300 @ 85A 5V
    1.5V @ 2.4A, 85A
    7V
    2.2 V
    600ns
    9.1mm
    38.2mm
    25.4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比