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IXTF200N10T备选型号: IPP05CN10NGXKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 接通延迟时间
- 无卤素
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-528 Weeks通孔通孔i4-Pac™-55SILICON90A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchMV™2009e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)雪崩 额定SINGLE未说明未说明5R-PSFM-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET200WISOLATEDN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 50A, 10V4.5V @ 250μA9400pF @ 25V152nC @ 10V31ns±30V34 ns90A0.007Ohm100VROHS3 Compliant----------
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-22013 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON100A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2008e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-SINGLE未说明未说明3-不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET300W-N-ChannelSWITCHING5.4m Ω @ 100A, 10V4V @ 250μA12000pF @ 50V181nC @ 10V42ns±20V21 ns100A0.0054Ohm-ROHS3 Compliant100V100A28 ns无卤素TO-220AB20V100V400A826 mJ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP110N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 100V 110A TO-220 | 对比 |
 | IPI100N10S305AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
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