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IXTH11P50备选型号: STW19NM60N
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD17 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON11A Tc-55°C~150°C TJTube2005yes活跃3EAR99750MOhm雪崩 额定-500V-11A3Single增强型MOSFET300WDRAINP-ChannelSWITCHING750m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA4700pF @ 25V130nC @ 10V27ns500V±20V35 ns11ATO-247AD20V-500V44A无ROHS3 Compliant无铅-------
MOSFET N-CH 600V 13A TO-24716 Weeks通孔通孔TO-247-33-13A Tc-55°C~150°C TJTube--活跃-EAR99-----Single---N-Channel-285m Ω @ 6.5A, 10V4V @ 250μA1000pF @ 50V35nC @ 10V15ns-±25V25 ns13A-25V600V-无ROHS3 Compliant-Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II1 (Unlimited)STW19N12 ns20.15mm15.75mm5.15mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STW19NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
 | STW18N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
 | TK14N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 | 对比 |
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