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IXTH11P50备选型号: TK14N65W,S1F
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- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 质量
- 系列
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD17 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON11A Tc-55°C~150°C TJTube2005yes活跃3EAR99750MOhm雪崩 额定-500V-11A3Single增强型MOSFET300WDRAINP-ChannelSWITCHING750m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA4700pF @ 25V130nC @ 10V27ns500V±20V35 ns11ATO-247AD20V-500V44A无ROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-22016 Weeks通孔通孔TO-247-33-13.7A Ta150°C TJTube2014-活跃-------Single---N-Channel-250mOhm @ 6.9A, 10V3.5V @ 690μA1300pF @ 300V35nC @ 10V20ns650V±30V7 ns13.7A-30V650V-无符合RoHS标准-TO-24738.000013gDTMOSIV1 (Unlimited)150°C-55°C160 ns1.3nF220mOhm250 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW19NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
 | STW18N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
| TK14N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220 | 对比 |
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