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IXTH20N50D备选型号: R6025FNZ1C9
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 无铅
- 端子位置
- Reach合规守则
- 配置
- 操作模式
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 500V 20A TO-2478 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON20A Tc-55°C~150°C TJTube2006e1yes不用于新设计1 (Unlimited)3Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)未说明未说明3R-PSFM-T3不合格Single400WDRAINN-ChannelSWITCHING330m Ω @ 10A, 10V2500pF @ 25V125nC @ 10V85ns±30V75 ns20ATO-247AA30V0.33Ohm500V50A耗尽模式ROHS3 Compliant无铅--------
MOSFET N-CH 600V 25A TO24717 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON25A Tc150°C TJTube2016--最后一次购买1 (Unlimited)3-未说明未说明-R-PSFM-T3----N-ChannelSWITCHING180m Ω @ 12.5A, 10V3500pF @ 25V85nC @ 10V-±30V-25A--0.18Ohm-100A-ROHS3 Compliant-SINGLEnot_compliantSINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET5V @ 1mA600V600V42.1 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STW18N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 | 对比 |
 | STW15NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 | 对比 |
| R6025FNZ1C9 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 25A TO247 | 对比 |
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