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首页 全部分类 IXTH20N65X vs R6025FNZ1C9

IXTH20N65X备选型号: R6025FNZ1C9

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  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • IXYS
    IXTH20N65X
    IXYS
    MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    210m Ω @ 10A, 10V
    5.5V @ 250μA
    1390pF @ 25V
    35nC @ 10V
    650V
    ±30V
    20A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
  • ROHM Semiconductor
    R6025FNZ1C9
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 25A TO247
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    25A Tc
    150°C TJ
    Tube
    2016
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    180m Ω @ 12.5A, 10V
    5V @ 1mA
    3500pF @ 25V
    85nC @ 10V
    600V
    ±30V
    25A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    3
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    0.18Ohm
    100A
    600V
    42.1 mJ
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