IXTH20N65X备选型号: TK17N65W,S1F

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 系列
  • 输入电容
  • 最大rds
  • IXYS
    MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
    15 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    210m Ω @ 10A, 10V
    5.5V @ 250μA
    1390pF @ 25V
    35nC @ 10V
    650V
    ±30V
    20A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    17.3A Ta
    150°C TJ
    Tube
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    200mOhm @ 8.7A, 10V
    3.5V @ 900μA
    1800pF @ 300V
    45nC @ 10V
    650V
    ±30V
    17.3A
    符合RoHS标准
    TO-247
    DTMOSIV
    1.8nF
    200 mΩ
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
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