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首页 全部分类 IXTH30N50P vs STW26NM60ND

IXTH30N50P备选型号: STW26NM60ND

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  • 上升时间
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
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  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXTH30N50P
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin (3 Tab) TO-247AD
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    500V
    未说明
    30A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    460W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 15A, 10V
    5V @ 250μA
    4150pF @ 25V
    70nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    21 ns
    30A
    TO-247AD
    30V
    0.2Ohm
    500V
    75A
    1200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW26NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 21A TO247
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    21A Tc
    150°C TJ
    Tube
    FDmesh™ II
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    175m Ω @ 10.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1817pF @ 100V
    54.6nC @ 10V
    14.5ns
    ±25V
    27.5 ns
    21A
    -
    25V
    -
    600V
    84A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    38.000013g
    EAR99
    STW26N
    1
    22 ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
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