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首页 全部分类 IXTH30N50P vs TK25N60X5,S1F

IXTH30N50P备选型号: TK25N60X5,S1F

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • IXYS
    IXTH30N50P
    IXYS
    Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin (3 Tab) TO-247AD
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    雪崩 额定
    500V
    未说明
    30A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    460W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 15A, 10V
    5V @ 250μA
    4150pF @ 25V
    70nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    21 ns
    30A
    TO-247AD
    30V
    0.2Ohm
    500V
    75A
    1200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK25N60X5,S1F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 600V 25A TO247
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    25A Ta
    150°C TJ
    Tube
    DTMOSIV-H
    2015
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    140mOhm @ 7.5A, 10V
    4.5V @ 1.2mA
    2400pF @ 300V
    60nC @ 10V
    -
    ±30V
    -
    25A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    TO-247
    600V
    2.4nF
    140 mΩ
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