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首页 全部分类 IXTN5N250 vs HGT1N30N60A4D

IXTN5N250备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 配置
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • 无铅
  • IXYS
    IXTN5N250
    IXYS
    MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
    底座安装
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    SILICON
    5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
    UPPER
    UNSPECIFIED
    unknown
    4
    R-PUFM-X4
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    700W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    8.8 Ω @ 2.5A, 10V
    5V @ 1mA
    8560pF @ 25V
    200nC @ 10V
    20ns
    2500V
    ±30V
    44 ns
    5A
    30V
    5A
    2.5kV
    20A
    2500 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    -
    600V
    -55°C~150°C TJ
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    225W
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    4
    2.7V
    600V
    255W
    96A
    Single
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
    无铅
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HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比