IXYS IXTN5N250

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

700W Tc

Turn Off Delay Time

90 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.8 Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8560pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

200nC @ 10V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

2500V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

44 ns

连续放电电流(ID)

5A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

漏源击穿电压

2.5kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant