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首页 全部分类 IXTN79N20 vs HGT1N30N60A4D

IXTN79N20备选型号: HGT1N30N60A4D

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  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • NTC热敏电阻
  • IXYS
    IXTN79N20
    IXYS
    MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227
    18 Weeks
    底座安装
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    SILICON
    85A Tc
    Tube
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Nickel (Ni)
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    4
    R-PUFM-X4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    4V @ 20mA
    200V
    79A
    0.025Ohm
    340A
    200V
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    -
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    -
    600V
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    4
    2.7V
    -55°C~150°C TJ
    600V
    255W
    96A
    225W
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
HGT1N30N60A4D HGT1N30N60A4D ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail 对比