IXYS IXTN79N20

工厂交货时间

18 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

85A Tc

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

Power Dissipation (Max)

400W Tc

包装

Tube

已出版

2000

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Nickel (Ni)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 20mA

漏源电压 (Vdss)

200V

连续放电电流(ID)

79A

漏极-源极导通最大电阻

0.025Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

340A

DS 击穿电压-最小值

200V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅