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首页 全部分类 IXTP75N10P vs FDP085N10A-F102

IXTP75N10P备选型号: FDP085N10A-F102

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  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXTP75N10P
    IXYS
    IXYS SEMICONDUCTOR IXTP75N10P MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PolarHT™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    25MOhm
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    360W
    DRAIN
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 500mA, 10V
    5.5V @ 250μA
    2250pF @ 25V
    74nC @ 10V
    53ns
    ±20V
    45 ns
    75A
    5.5V
    TO-220AB
    20V
    100V
    200A
    9.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP085N10A-F102
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    96A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    -
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    188W
    -
    18 ns
    N-Channel
    -
    8.5m Ω @ 96A, 10V
    4V @ 250μA
    2695pF @ 50V
    40nC @ 10V
    22ns
    ±20V
    8 ns
    96A
    -
    -
    20V
    100V
    -
    15.215mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    1.8g
    10.36mm
    4.672mm
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