STP60NF10
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STMicroelectronics STP60NF10

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型号

STP60NF10

utmel 编号

2381-STP60NF10

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

STP60NF10 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V STripFET II, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics

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STP60NF10详情

STMicroelectronics STP60NF10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    80A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    300W Tc

  • Turn Off Delay Time

    82 ns

  • 包装

    Tube

  • 系列

    STripFET™ II

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    23mOhm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    100V

  • 额定电流

    80A

  • 基本部件号

    STP60N

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    300W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    17 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    23m Ω @ 40A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    4270pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    104nC @ 10V

  • 上升时间

    56ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    23 ns

  • 连续放电电流(ID)

    40A

  • 阈值电压

    3V

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    100V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    485 mJ

  • 高度

    15.75mm

  • 长度

    10.4mm

  • 宽度

    4.6mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

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