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首页 全部分类 IXTQ110N055P vs IRF1010NPBF

IXTQ110N055P备选型号: IRF1010NPBF

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 宽度
  • RoHS状态
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  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 通道数量
  • 阈值电压
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  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXTQ110N055P
    IXYS
    MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PolarHT™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    390W
    DRAIN
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 500mA, 10V
    5.5V @ 250μA
    2210pF @ 25V
    76nC @ 10V
    53ns
    ±20V
    45 ns
    110A
    20V
    55V
    250A
    1000 mJ
    20.3mm
    15.8mm
    4.9mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF1010NPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    85A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2001
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    180W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 43A, 10V
    4V @ 250μA
    3210pF @ 25V
    120nC @ 10V
    76ns
    ±20V
    48 ns
    85A
    20V
    55V
    290A
    250 mJ
    19.8mm
    10.6426mm
    4.82mm
    ROHS3 Compliant
    Tin
    通孔
    11MOhm
    55V
    85A
    2.54mm
    1
    4V
    TO-220AB
    55V
    100 ns
    175°C
    4 V
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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