您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXTQ110N055P vs STP80NF70

IXTQ110N055P备选型号: STP80NF70

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • IXYS
    IXTQ110N055P
    IXYS
    MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PolarHT™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    390W
    DRAIN
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 500mA, 10V
    5.5V @ 250μA
    2210pF @ 25V
    76nC @ 10V
    53ns
    ±20V
    45 ns
    110A
    20V
    55V
    250A
    1000 mJ
    20.3mm
    15.8mm
    4.9mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP80NF70
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    98A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    -
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.8m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    2550pF @ 25V
    75nC @ 10V
    60ns
    ±20V
    75 ns
    98A
    20V
    -
    -
    700 mJ
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SINGLE
    not_compliant
    STP80N
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    68V
    TO-220AB
    0.0098Ohm
    68V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STP80NF70 STP80NF70 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB 对比
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 85A TO-220AB 对比
SPP80N06S2L-11 SPP80N06S2L-11 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 对比