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首页 全部分类 IXTQ26N60P vs SPA20N60C3XKSA1

IXTQ26N60P备选型号: SPA20N60C3XKSA1

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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXTQ26N60P
    IXYS
    MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    26A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    PolarHV™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    600V
    未说明
    26A
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    460W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    270m Ω @ 500mA, 10V
    5V @ 250μA
    4150pF @ 25V
    72nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    21 ns
    26A
    30V
    0.27Ohm
    600V
    65A
    1200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPA20N60C3XKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3 Tab) TO-220FP
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    20.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    2005
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    650V
    -
    20.7A
    -
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    34.5W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 13.1A, 10V
    3.9V @ 1mA
    2400pF @ 25V
    114nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    4.5 ns
    20.7A
    20V
    -
    -
    -
    690 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    10 ns
    无卤素
    TO-220AB
    600V
    无
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