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首页 全部分类 IXTQ75N10P vs IRF3710PBF

IXTQ75N10P备选型号: IRF3710PBF

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    IXTQ75N10P
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    75A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PolarHT™
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    360W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 500mA, 10V
    5.5V @ 250μA
    2250pF @ 25V
    74nC @ 10V
    53ns
    ±20V
    45 ns
    75A
    20V
    0.025Ohm
    100V
    200A
    1000 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF3710PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    45 ns
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2004
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    200W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 28A, 10V
    4V @ 250μA
    3130pF @ 25V
    130nC @ 10V
    58ns
    ±20V
    47 ns
    57A
    20V
    -
    100V
    -
    280 mJ
    ROHS3 Compliant
    通孔
    23MOhm
    100V
    57A
    2.54mm
    1
    12 ns
    4V
    TO-220AB
    100V
    220 ns
    175°C
    4 V
    4.69mm
    10.54mm
    19.8mm
    无
    无SVHC
    无铅
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