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首页 全部分类 IXTY01N100 vs FCD850N80Z

IXTY01N100备选型号: FCD850N80Z

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
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  • 下降时间（典型值）
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • IXYS
    IXTY01N100
    IXYS
    MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    80Ohm
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    25W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    80 Ω @ 100mA, 10V
    4.5V @ 25μA
    54pF @ 25V
    6.9nC @ 10V
    12ns
    1000V
    ±20V
    28 ns
    100mA
    TO-252AA
    20V
    1kV
    0.4A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCD850N80Z
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    850m Ω @ 3A, 10V
    4.5V @ 600μA
    1315pF @ 100V
    29nC @ 10V
    10ns
    -
    ±20V
    4.5 ns
    6A
    -
    20V
    800V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    260.37mg
    SuperFET® II
    e3
    Tin (Sn)
    245
    not_compliant
    未说明
    1
    16 ns
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