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首页 全部分类 IXTY02N50D vs IPD50R650CEAUMA1

IXTY02N50D备选型号: IPD50R650CEAUMA1

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 输入电容
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • IXYS
    IXTY02N50D
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    200mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    PURE TIN
    8541.29.00.95
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    4
    R-PSSO-G2
    不合格
    Single
    1.1W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    30 Ω @ 50mA, 0V
    120pF @ 25V
    4ns
    ±20V
    4 ns
    200mA
    TO-252AA
    20V
    0.2A
    500V
    0.8A
    耗尽模式
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R650CEAUMA1
    Infineon Technologies
    CONSUMER
    18 Weeks
    表面贴装
    -
    TO-252-3
    -
    1
    -
    Tape & Reel (TR)
    2008
    -
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    未说明
    -
    未说明
    -
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    47W
    DRAIN
    -
    SWITCHING
    -
    -
    5ns
    -
    13 ns
    6.1A
    -
    20V
    -
    500V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    3.949996g
    150°C
    -55°C
    47W
    1
    增强型MOSFET
    6 ns
    500V
    N-CHANNEL
    342pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    650mOhm
    650 mΩ
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