ROHM Semiconductor RDD023N50TL

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

20W Tc

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2013

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.4 Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

151pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

2A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏极-源极导通最大电阻

5.5Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8A

DS 击穿电压-最小值

500V

雪崩能量等级（Eas）

21 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅