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首页 全部分类 IXTY08N50D2 vs IPD60R3K3C6ATMA1

IXTY08N50D2备选型号: IPD60R3K3C6ATMA1

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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • IXYS
    IXTY08N50D2
    IXYS
    MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    800mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    60W
    DRAIN
    N-Channel
    AMPLIFIER
    4.6 Ω @ 400mA, 0V
    312pF @ 25V
    12.7nC @ 5V
    500V
    ±20V
    800mA
    耗尽模式
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R3K3C6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    1.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.3 Ω @ 500mA, 10V
    93pF @ 100V
    4.6nC @ 10V
    -
    ±20V
    1.7A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3.949996g
    CoolMOS™ C6
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    Single
    增强型MOSFET
    8 ns
    3.5V @ 40μA
    10ns
    60 ns
    30V
    600V
    4A
    6 mJ
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
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